实验介绍：
半导体PN结的物理特性是半导体物理学的重要基础内容。利用本实验的仪器，可研究PN结扩散电流与电压的关系，了解此关系遵循指数分布规律；并可较准确地测出物理学重要常数-玻尔兹曼常数；也可测量PN结电压Ube与热力学温度T的关系，求得半导体PN结用作传感器的灵敏度S，并近似求得0K时硅材料的禁带宽度。
实验内容：
1．在室温下，测绘PN 结正向电压随正向电流的变化曲线，求得玻尔兹曼常数；
2．在不同温度下，测绘PN 结正向电压随正向电流的变化曲线，求得玻尔兹曼常数；
3. 恒定正向电流条件下，测绘PN 结正向压降随温度的变化曲线，计算结电压随温度变化的灵敏度。
4. 计算在0K时半导体（硅）材料的禁带宽度。
实验图片
实验数据：
室温下测量IF-Ube曲线
50℃下测量IF-Ube曲线
采用数字化实验，可以把测得的数据实时显示在电脑软件上：
