实验介绍：
置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。
本实验是将一个长方体状半导体放置于均匀磁场B中，如果在这个矩形样品中通以强度为I的电流，那么就会因为霍尔效应而在这个样品的垂直于电流和磁场的方向上产生一个一定大小的电势差，即为霍尔电压。
如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广泛的应用前景。熟悉并掌握这一具有实用性的实验，对日后的工作将是十分必要的。
实验内容：
1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2.学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量试样的UH-IS 和UH-IM 曲线。
3.确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
4.选配无线模块，成为基于计算机的数字化实验系统。
实验原理图
实验图片
实验数据：
